辐射源的制造办法

文档序号:19689530发布日期:2020-01-14 19:00
辐射源的制造办法

相干请求的交叉援用

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本创造触及一种辐射源。辐射源可所以极紫外辐射源。极紫外辐射源可以构成光刻体系的一部分。



背景技巧:

光刻设备是被构形成将希冀的图案施加到衬底上的机械。例如,光刻设备可用于制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案从图案构成装配(例如掩模)投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

光刻设备将图案投影到衬底上的所用的辐射的波长肯定了可以在该衬底上构成的特点的最小尺寸。应用极紫外(euv)辐射(波长在4-20nm范围内的电磁辐射)的光刻设备可以用于在衬底上构成比惯例光刻设备(例如可以应用波长为193nm的电磁辐射)更小的特点。

一种已知类型的euv辐射源将激光辐射引导到燃料液滴上。这将燃料液滴转化为发射euv辐射的等离子体。这类类型的辐射源可以被称为激光产生等离子体(lpp)源。已知的lpp源具有相对较低的转换效力。也就是说,它们输入的euv辐射的功率仅是所输入的激光辐射的功率的一小部分。



技巧完成要素:

可以希冀的是,供给一种euv辐射源,其具有比惯例lpp辐射源更好的转换效力,或许克服了与惯例lpp辐射源相接洽关系的一些其他缺点。

根据本创造的第一方面,供给了一种辐射源,包含:燃料发射器,所述燃料发射器被设备成将燃料液滴供给给等离子体构成区域;和激光器体系,所述激光器体系被设备为供给激光束;个中所述激光器体系包含延迟线路,所述延迟线路被设备为相关于所述激光束的主要部分延迟所述激光束的重要部分,使得所述激光束的所述主要部分的脉冲在所述激光束的所述重要部分的脉冲之前入射在所述等离子体构成区域。

有益地,在激光束的重要部分的脉冲之前将激光束主要部分的脉冲引导到燃料液滴上进步产生euv辐射的转换效力。

可选地,在所述激光束的所述重要部分的脉冲之前,所述激光束的所述主要部分的脉冲可以构成基座。

可选地,所述激光束的所述主要部分的脉冲在时间上与所述激光束的所述重要部分的脉冲不交叠。

所述延迟线路可被设备为相关于所述激光束的所述主要部分的脉冲将所述激光束的所述重要部分的脉冲延迟100ns至300ns之间。

所述激光束的所述主要部分的脉冲可具有30ns至150ns之间的持续时间。

延迟线路可以包含光缩小年夜器。

所述激光器体系被设备为使得所述激光束的所述重要部分在所述光缩小年夜器外向前-向后屡次传递,并且所述激光束的所述主要部分直接传播经过过程所述光缩小年夜器。

有益地,这使得对激光束重要部分的缩小年夜明显大年夜于对激光束的主要部分的缩小年夜。

所述光缩小年夜器可包含出口窗、出口窗和一系列反射镜,并且个中,所述激光器体系被设备为使得所述激光束的所述主要部分直接从所述出口窗传递至所述出口窗,而所述激光束的所述重要部分从入所述口窗经过所述一系列反射镜传递至所述出口窗。

可以应用激光束分别设备将激光束分红重要部分和主要部分。

所述激光器体系可进一步包含脉冲成形装配,所述脉冲成形装配被设备为修改所述激光束的所述主要部分的脉冲。

所述激光器体系可进一步包含缩小年夜体系,所述缩小年夜体系被设备为在所述激光束的所述重要部分和所述激光束的所述主要部分入射在所述等离子体构成区域之前对所述激光束的所述重要部分和所述激光束的所述主要部分停止缩小年夜。

根据本创造的第二方面,供给一种光刻体系,该光刻体系包含本创造的第一方面的辐射源,并且还包含:照射体系,所述照射体系被设备为调理从所述辐射源接收的辐射束;支撑构造,所述支撑构造被构造为支撑图案构成装配,所述图案构成装配可以或许在辐射束的横截面中付与所述辐射束图案,以构成图案化的辐射束;衬底台,所述衬底台被构形成保持衬底;和投影体系,所述投影体系被设备为将所述图案化的辐射束投影到所述衬底上。

有益地,在激光束的重要部分的脉冲之前将激光束主要部分的脉冲引导到燃料液滴上进步产生euv辐射的转换效力。这供给了更高强度的辐射束,从而许可应用光刻设备每小时对更多衬底停止图案化。

根据本创造的第三方面,供给了一种激光器体系,该激光器体系被设备为向euv辐射源供给激光束,个中,所述激光器体系包含延迟线路,所述延迟线路被设备为相关于所述激光束的主要部分延迟所述激光束的重要部分,使得所述激光束的所述主要部分的脉冲在所述激光束的所述重要部分的脉冲之前从所述激光器体系输入。

根据本创造的第四方面,供给了一种产生euv辐射的办法,其包含:应用脉冲激光器体系供给脉冲激光束的重要部分和脉冲激光束的主要部分,所述重要部分相关于所述主要部分被延迟线路延迟;和将所述脉冲激光束的所述重要部分和所述脉冲激光束的所述主要部分引导到燃料液滴上,以产生发射euv辐射的等离子体。

有益地,在激光束的重要部分的脉冲之前将激光束主要部分的脉冲引导到燃料液滴上进步产生euv辐射的转换效力。

可选地,在所述脉冲激光束的所述重要部分的脉冲之前,所述脉冲激光束的所述主要部分的脉冲构成基座。

可选地,所述脉冲激光束的所述主要部分的脉冲与所述脉冲激光束的所述重要部分的脉冲不交叠。

所述延迟线路可将所述脉冲激光束的所述重要部分相关于所述脉冲激光束的所述主要部分延迟100ns至300ns之间。

所述激光束的主要部分的脉冲可具有30ns至150ns之间的持续时间。

附图解释

如今将参考所附表示性附图、仅以示例的方法来描述本创造的实施例,个中:

-图1描述了根据本创造实施例的包含辐射源和光刻设备的光刻体系;

-图2描述了可以构成图1的辐射源的一部分的激光器体系的实施例;和

-图3描述了可以构成图1的辐射源的一部分的激光器体系的替换实施例。

详细实施方法

图1示出了包含根据本创造的一个实施例的反射镜阵列的光刻体系。光刻体系包含辐射源so和光刻设备la。辐射源so设备成产生极紫外(euv)辐射束b。光刻设备la包含照射体系il、被设备为支撑图案构成装配ma(例如掩模)的支撑构造mt、投影体系ps和被设备为支撑衬底w的衬底台wt。照射体系il被设备为在辐射束b入射到图案构成装配ma之前调理辐射束b。投影体系被设备为将辐射束b(如今已被掩模ma图案化)投影到衬底w上。衬底w可以包含先前构成的图案。在这类情况下,光刻设备将图案化的辐射束b与先前在衬底w上构成的图案对准。

辐射源so、照射体系il和投影体系ps都可以被构造和安排成使得它们可以与外部情况隔离。可以在辐射源so中供给低于大年夜气压的压力的气体(例如氢气)。可以在照射体系il和/或投影体系ps中供给真空。可以在照射体系il和/或投影体系ps中供给远低于大年夜气压的压力下的大批气体(例如氢气)。

图1中所示的辐射源so的类型可以被称为激光产生的等离子体(lpp)源。辐射源包含激光器体系2,其可以被称为主脉冲激光器体系。辐射源可以可选地包含附加激光器体系1。该附加激光器体系可以被称为预脉冲激光器体系1。应用束组合光学元件5(例如,分色镜)将来自激光器体系1、2的激光束2、3组合,然后将能量堆积到燃料(例如由燃料发射器6供给的锡(sn))中。虽然在以下描述中提到了锡,然则可以应用任何合适的燃料。燃料可以例如是液体情势,并且可以例如是金属或合金。燃料发射器6可包含喷嘴,所述喷嘴设备成沿着轨迹朝向等离子体构成区域7引导锡(例如,液滴情势的锡)。激光束2在等离子体构成区域7处入射到锡上。激光能量堆积到锡中,从而在等离子体构成区域7处产生等离子体8。在等离子体的离子的去激起和再结合或复合时代,包含euv辐射的辐射从等离子体8被发射。

euv辐射由近法向入射辐射搜集器9(有时更统称为法向入射辐射搜集器)搜集并聚焦。搜集器9可以具有多层构造,其安排成反射euv辐射(例如,具有希冀波长(诸如13.5nm)的euv辐射)。搜集器9可以具有椭圆形构型,椭圆形构型具有两个核心。第一核心可以在等离子体构成区域7处,并且第二核心可以在中心核心10处,以下所述。

激光器体系1、2可以阔别辐射源so的其它部件。在这类情况下,激光束3、4可以借助于束传递体系(未示出)从激光器体系1、2传递到辐射源so,束传递体系包含例如合适的定向镜和/或扩束器,和/或其它光学元件。预脉冲激光器体系1和主脉冲激光器体系2一路可以被称为组合激光器体系cs。

被搜集器9反射的辐射构成辐射束b。辐射束b在点10处聚焦以构成等离子体构成区域7的图象,其充当用于照射体系il的虚拟辐射源。辐射束b被聚焦的点10可以被称为中心核心。辐射源so安排成使得中心核心10位于辐射源的封闭构造12中的开口11处或邻近。

辐射束b从辐射源so进入照射体系il,该照射体系il被设备成调理辐射束。照射体系il包含琢面场反射镜装配13,并且可以包含琢面光瞳反射镜装配14。琢面场反射镜装配10是由可伶仃控制的反射镜构成的反射镜阵列。该阵列的反射镜与相接洽关系的致动器和感测设备一路可以被称为反射镜组件。控制器ct控制反射镜的偏向(以下文进一步描述)。琢面场反射镜装配13和琢面光瞳反射镜装配14一路供给具有希冀横截面外形和希冀的角度强度分布的辐射束b。辐射束b从照射体系il传递并入射到由支撑构造mt保持的图案构成装配ma上。图案构成装配ma反射并图案化辐射束b。除琢面场反射镜装配13和琢面光瞳反射镜装配14以外或代替它们,照射体系il可包含其它反射镜或装配。

在从图案构成装配ma反射以后,图案化的辐射束b进入投影体系ps。投影体系ps包含多个反射镜15、16,反射镜15、16被设备成将辐射束b投影到由衬底台wt保持的衬底w上。投影体系ps可以将减缩因子应用于辐射束,构成具有小于图案构成装配ma上的对应特点的特点的图象。例如,可以应用缩减因子4。虽然在图1中投影体系ps具有两个反射镜15、16,但投影体系可包含任义数量的反射镜(例如六个反射镜)。

图1中所示的辐射源so可包含未示出的部件。例如,可以在辐射源中供给光谱滤波器。光谱滤波器可以被设备为接收由等离子体产生的电磁辐射,并将euv辐射与euv以外的辐射(例如红外辐射)分开。光谱滤波器可认为透射滤波器,其根本上透射euv辐射,但根本上阻挡其它波长的辐射,例如红外辐射。可替换地,光谱滤波器可所以反射滤光器,其将入射的euv辐射反射到特定偏向,并将非euv辐射反射到其它偏向。

预脉冲激光器体系1可以被设备为供给辐射脉冲,当入射到燃料液滴上时,该辐射脉冲调理燃料液滴但不产生大年夜量的发射euv辐射的等离子体。这些可以称为预脉冲的脉冲可以例如将燃料液滴的外形修改成薄饼状和/或可以从燃料液滴中去除一些材料。主脉冲激光器体系2可以被设备为供给辐射脉冲,当入射到燃料液滴上时,该辐射脉冲将燃料液滴转换成发射euv辐射的等离子体。这些辐射脉冲可以被称为主脉冲。辐射的主脉冲能够比辐射的预脉冲具有更多的能量。

辐射的主脉冲可以具有比辐射的预脉冲更长的波长。例如,辐射的主脉冲可所以红外的,并且可以具有大年夜约10微米(例如10.6微米)的波长。可替换地,辐射的主脉冲可以具有较短的红外波长,例如大年夜约1微米。辐射的预脉冲也可所以红外的,并且也能够具有大年夜约10微米(例如10.3微米)的波长。替换地,辐射的预脉冲可以具有较短的红外波长,例如大年夜约1微米。辐射的预脉冲可以具有在大年夜约1微米至大年夜约10微米的范围内的波长。

图2表示性地描述了主脉冲激光器体系2的实施例。主脉冲激光器体系2包含激光器20,该激光器20被设备成发射脉冲激光束4,该脉冲激光束4可以被称为主辐射束。激光器20可以例如是co2激光器。激光束4穿过光学元件22(例如偏振器、束调理光学元件等),然后入射在第一部分反射器24上。第一部分反射器24可以例如具有大年夜约10%或更小的反射率。第一部分反射器24可以例如具有大年夜约1%或更大年夜的反射率。激光束4的大年夜部分(可以被称为重要部分4a)穿过第一部分反射器24并进入延迟线路26。延迟线路可以包含反射镜25,反射镜25安排成往复反射激光束的重要部分4a,直到它曾经传播或行进了希冀的间隔(例如数十米,例如在30到100米之间)。分开延迟线路26后,激光束的重要部分4a传播到第二部分反射器32。

激光束4的其他部分(可被称为主要部分4b)被第一部分反射器24反射,并经过反射器28传播至脉冲成形装配30。脉冲成形装配30被设备为修改激光束的主要部分4b的脉冲。脉冲成形装配30可以例如是电光调制器(eom)。脉冲成形装配30可以例如在激光束的主要部分4b的脉冲的开端处去除不想要的尖峰。这可以供给更平坦的脉冲外形,这关于基座脉冲能够是希冀的。脉冲成形装配30可以施加其它情势的脉冲成形。脉冲成形装配30可以例如用于延长激光束的主要部分4b的脉冲。脉冲成形装配30还可以衰减主要部分4b的脉冲。脉冲成形装配30可所以声光调制器(aom)。aom可用于衰减激光束的主要部分4b的脉冲。aom能够没有足够快的照应来从脉冲开端处清除峰或延长脉冲。分开脉冲成形装配30后,激光束的主要部分4b被另外一个反射器31反射到第二部分反射器32。在实施例中,可以省略脉冲成形装配30。

第二部分反射器32可以例如具有大年夜约10%或更小的反射率。第二部分反射器32可以例如具有大年夜约1%或更大年夜的反射率。第二部分反射器32可以具有与第一部分反射器24雷同的反射率(这可以供给激光束的重要部分4a的最大年夜透射率)。激光束的被延迟的重要部分4a入射在部分反射器32上,并且激光束的未被延迟的主要部分4b也入射在部分反射器32上。由于第二部分反射器32具有低反射率,是以激光束的重要部分4a的大年夜部分由第二部分反射器32透射。然后,激光束的重要部分4a传播到缩小年夜体系34。缩小年夜体系34可以例如是一系列光缩小年夜器。激光束的重要部分4a的被反射部分入射到束捕集器36上。激光束的主要部分4b的大年夜部分由第二部分反射器32透射,并入射在束捕集器36上。激光束的主要部分4b的被反射部分(例履约10%或更少)传播到缩小年夜体系。

是以,激光束的重要部分4a的一部分和主要部分4b的一部分在第二部分反射器32处重新组归并且一路传播经过过程缩小年夜体系34。分开缩小年夜体系34后,激光束的重要部分4a和主要部分4b一路传播至等离子体构成区域7(拜见图1)。

在第一部分反射器24和第二部分反射器32的反射率是10%的实施例中,激光束的重要部分4a的功率将是激光束4的初始功率的81%,主要部分4b的功率将是激光束的初始功率的1%。是以,激光束的18%将入射在束捕集器36上。在其它实施例中,功率的比拟较例可以不合。但是,平日,激光束的主要部分4b将具有明显低于激光束的重要部分4a的功率。主要部分4b的功率可以例如小于重要部分4a的功率的5%,并且例如可以小于重要部分的功率的1%。

由于激光束的主要部分4b没有传递经过过程延迟线路26,所以它在激光束的重要部分4a之前达到部分反射器32。如前所述,激光束4被脉冲化。是以,主要部分4b的激光脉冲在重要部分4a的激光脉冲之前达到部分反射器32。是以,在由部分反射器32重新组合以后,激光束的重要部分4a和激光束的主要部分4b一路传播,个中该主要部分的脉冲先于该重要部分的相接洽关系的脉冲(相接洽关系的脉冲在此旨在指从同一初始脉冲产生的两个脉冲)。主要脉冲和重要脉冲之间的延迟由延迟线路26的光路长度肯定。例如,假设延迟线路26具有大年夜约30m的光路长度,则主要脉冲将在重要脉冲之前大年夜约100ns。延迟线路26的光路长度可以被选择或可以被调剂成在主要脉冲和重要脉冲之间供给希冀的时间间隔。延迟线路26的光路长度可所以可调剂的(例如,经过过程改变延迟线路的反射器之间的间隔)。时间间隔可以例如在100ns至300ns之间。在本文中,例如可以将两个脉冲之间的时间间隔作为两个脉冲的中间(其可以在脉冲的末尾之间的中心)之间的时间间隔来丈量,或许可以将两个脉冲之间的时间间隔作为两个脉冲的前沿之间的时间间隔来丈量。是以,时间间隔是在时间维度上重新安排激光束的不合的时间部分的成果。

在实施例中,主要脉冲的持续时间可以明显小于主要脉冲与重要脉冲之间的间隔。在这类情况下,主要脉冲可以与重要脉冲分开。在实施例中,主要脉冲的持续时间可以类似于或善于主要脉冲与重要脉冲之间的间隔。在这类情况下,主要脉冲能够会与重要脉冲归并。在这类情况下,主要脉冲可以称为基座。

重要脉冲可以例如具有在30ns与150ns之间的持续时间。主要脉冲可以例如具有在30ns和150ns之间的持续时间。重要脉冲和主要脉冲可以具有雷同的持续时间。脉冲持续时间的量度可以指的是脉冲的半值全宽或半高宽。脉冲的很大年夜一部分能够会超出此持续时间。在实施例中,主要脉冲和重要脉冲可以各自具有75ns的持续时间并且可以具有100ns的时间间隔(如由延迟线路26施加的)。虽然主要脉冲和重要脉冲半高宽不会彼此相遇,然则主要脉冲和重要脉冲仍将彼此交叠,由于脉冲的很大年夜一部分超出了半高宽的持续时间。主要脉冲依然可以被认为构成基座。这关于其它延迟线路长度和其它脉冲持续时间也一样。

曾经发明,供给在重要脉冲之前的主要脉冲(作为基座脉冲或作为自力脉冲),会进步应用燃料产生发射euv的等离子体的转换效力。除在经过过程应用预脉冲激光束3和重要脉冲激光束4供给的改进的转换效力以外,还可以完成这类改进的转换效力(与假设不应用主要脉冲时取得的转换效力比拟)。

主激光器体系2的替换实施例在图3中停止描述。在该实施例中,光缩小年夜器40用作延迟线路。从一侧表示性地描述了光缩小年夜器40的横截面,另外,还表示性地描述了光缩小年夜器的端部。光缩小年夜器40包含一个充斥气体的环形腔室42,该气体被例如横跨环形腔室42施加的射频电压激起。穿过气体的激光束从被激起气体中接收能量,从而被缩小年夜。在环形腔室42的相对端部43、45处设置有出口窗44和出口窗46。反射镜48也设置在环形腔室42的相对端部43、45处。反射镜48被定向成使得入射激光束沿着一光路从端部43、45中的一个端部处的一个反射镜反射到端部43、45中的另外一个处的下一反射镜,该光路在环形腔室42的端部43、45之间往复传播,并且同时环绕环形腔室42进步。光缩小年夜器40可以例如是可从德国斯图加特的trumpf取得的tru-coax光缩小年夜器。

待缩小年夜的激光束的重要部分4a经过出口窗44进入光缩小年夜器40,被反射镜48反射并环绕环形腔室42行进,同时被缩小年夜。然后,缩小年夜的激光束的重要部分4a经过出口窗46分开。不须要被明显地缩小年夜的激光束的主要部分4b(由虚线表示)也穿过光缩小年夜器40。但是,激光束的主要部分4b直接从出口窗44达到出口窗46,并且未被反射镜48绕环形腔室42反射。是以,激光束的主要部分4b仅从环形腔室中的气体接收大批的缩小年夜,并且在环形腔室42内传播的间隔比激光束的重要部分4a短很多。

为了使激光束重要部分4a绕环形腔室42传播,同时激光束的主要部分4b直接穿过光缩小年夜器,激光束的重要部分4a和激光束的主要部分4b在进入光缩小年夜器40时不合轴。在实施例中,应用声光调制器(aom)50分别激光束的主要部分4b,以使其在进入光缩小年夜器40时相关于激光束的重要部分4a不合轴。声光调制器50衍射入射激光束4以构成零阶和一阶。一阶束是激光束的重要部分4a。激光束的重要部分4a穿过第一部分反射器52,然落后入光缩小年夜器40。激光束的重要部分4a的一部分被部分反射器52反射,并入射到束捕集器56上。

一阶束是激光束的主要部分4b。一阶束入射到反射器54上。反射器54可以具有100%的反射率,或许可所以部分反射器,例如具有大年夜约50%或更大年夜的反射率。假设反射器54是部分反射器,则激光束的主要部分的穿过反射器54的部分入射到第二束捕集器57上。反射的部分入射在第一部分反射器52上,并且从该部分反射器传播至光缩小年夜器40(部分束穿过

第一部分反射器52并入射在束捕集器56上)。第一部分反射器52可以例如具有大年夜约1%的反射率。是以,在进入光缩小年夜器40之前,激光束的主要部分4b的功率可以比激光束的重要部分4a的功率小约100倍。

第二部分反射器52被定向成使合适激光束的主要部分4b与激光束的重要部分4a在进入光缩小年夜器40时不合轴。部分反射器52的偏向使得激光束的主要部分4b穿过出口窗44,然则不入射在光缩小年夜器40的反射镜48上。而是,激光束的主要部分4b从出口窗46射出。

是以,激光束的重要部分4a绕光缩小年夜器40的环形腔室42传播,而激光束的主要部分4b则并不是如此。光缩小年夜器40用作延迟线路,并且同时缩小年夜激光束重要部分4a。是以,光缩小年夜器40有益地同时供给两种功能。

图3所描述的实施例可以包含脉冲成形装配60,该脉冲成形装配60被设备为修改激光束的主要部分4b的脉冲。脉冲成形装配60可以例如是电光调制器(eom)。脉冲成形装配60可以例如在激光束的主要部分4b的脉冲的开端处去除不想要的尖峰。这可以供给更平坦的脉冲外形,这关于基座脉冲能够是希冀的。脉冲成形装配60可以施加其他情势的脉冲成形。脉冲成形装配60可以例如用于延长激光束的主要部分4b的脉冲。脉冲成形装配60还可以衰减主要部分4b的脉冲。脉冲成形装配60可所以声光调制器(aom)。aom可用于衰减激光束的主要部分4b的脉冲。aom能够没有足够快的照应来从脉冲开端处清除峰或延长脉冲。在实施例中,可以省略脉冲成形装配60。

在图3所描述的实施例中,与图2的实施例雷同,激光器体系1还包含缩小年夜体系62,主要脉冲4b和重要脉冲4a在入射到等离子体构成部位之前经过过程该缩小年夜体系62(见图1)。缩小年夜体系62可以例如是一系列光缩小年夜器。

在图3的实施例中,当激光束的主要部分4b进入光缩小年夜器40时,激光束的主要部分4b与激光束的重要部分4a不共线。这类非共线性许可激光束的主要部分4b直接从出口窗44传播到出口窗46,而不是被光缩小年夜器40的反射镜48反射。由于激光束的主要部分4b和激光束的重要部分4a在它们进入光缩小年夜器40时长短共线的,所以当它们分开光缩小年夜器时也长短共线的。激光束的主要部分4b和重要部分4a的非共线性质可所以激光束的不合空间地位和激光束的不合角度偏向(可以称为束指向)的组合。可以调剂部分反射器52和反射器54,以改变激光束的主要部分4b相关于激光束的重要部分4a的空间地位和束指向,以取得束地位和束指向的希冀组合。例如,激光束的主要部分4b可以在与激光束的重要部分4a不合的空间地位处入射到部分反射器52上,并且可以被指向为使得其随后与激光束的重要部分订交。在图3中,已应用此办法在缩小年夜体系62中使激光束的主要部分4b与激光束的重要部分4a订交。在其他实施例中,激光束的主要部分4b可以在某个其它地位(例如,在供给空间滤波器的地位)处与激光束的重要部分4a订交。在其他实施例中,激光束的主要部分4b可以不与激光束的重要部分4a订交。在一些实施例中,可以调剂激光束的重要部分4a相关于激光束的主要部分4b的空间地位和束指向。

虽然图3所描述的光缩小年夜器在一端部具有出口窗44而在相对端部具有出口窗46,然则在另外一实施例中,出口窗和出口窗可以在同一端部。

虽然图3所描述的光缩小年夜器40是环形的,然则光缩小年夜器可以具有某个其他外形。例如,光缩小年夜器可所以长方体。光缩小年夜器可以例如具有在一个端面处的出口窗和在相对的端面处的出口窗。光缩小年夜器可以例如在同一端面上具有出口窗和出口窗。

虽然图3中描述的实施例应用声光调制器(aom)50将激光束4分红激光束主要部分4b和激光束重要部分4a,然则可以应用其他装配来分隔激光束(例如,部分反射镜)。虽然在图2所描述的实施例中应用部分反射镜24将激光束4分红激光束主要部分4b和激光束重要部分4a,然则可以应用其他设备来分别激光束部分(例如声光调制器(aom))。平日,可以应用任何合适的激光束分隔设备来将激光束分红主要部分和重要部分,例如部分反射镜或调制器。

平日,激光束的主要部分4b的功率可所以激光束重要部分4a的功率的5%或更小,例如1%或更小。在一个示例中,在被缩小年夜体系34、62缩小年夜以后,激光束的主要部分4b的脉冲可以具有几mj的功率,而激光束重要部分4a的脉冲可以具有几百mj的功率(例履约400mj)。

在实施例中,本创造可以构成掩模检查设备的一部分。掩模检查设备可以应用euv辐射来照射掩模,并且可以应用成像传感器来监测从掩模反射的辐射。由成像传感器接收的图象用于肯定掩模中能否存在缺点。掩模检查设备可以包含被设备为从euv辐射源接收euv辐射并将其构成为要被导向掩模的辐射束的光学元件(例如镜)。掩模检查设备还可包含光学元件(例如镜),其设备成搜集从掩模反射的euv辐射并在成像传感器处构成掩模的图象。掩模检查设备可以包含处理器,该处理器被设备为分析掩模在成像传感器处的图象,并根据该分析肯定掩模上能否存在任何缺点。所述处理器可以进一步被设备为:肯定检测到的掩模缺点在所述光刻设备应用所述掩模时能否会在投影到衬底上的图象中惹起弗成接收的缺点。

在实施例中,本创造可以构成量测设备的一部分。量测设备可以用于丈量在衬底上的抗蚀剂中构成的投影图案相关于衬底上曾经存在的图案的对准。相对对准的这类丈量可以被称为堆叠。量测设备可以例如紧邻光刻设备,并且可以用于在曾经处理衬底(和抗蚀剂)之前丈量堆叠。

虽然在本文中可以在光刻设备的内容背景中详细参考本创造的实施例,然则本创造的实施例可以在其他设备中应用。本创造的实施例可以构成掩模检查设备、量测设备或丈量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案构成装配)之类的物体的任何设备的一部分。这些设备平日可以称为光刻对象。这类光刻对象可以应用真绝后提或情况(非真空)条件。

术语“euv辐射”可以被认为包含波长在4-20nm范围内,例如在13-14nm范围内的电磁辐射。euv辐射可以具有小于10nm的波长,例如在4-10nm的范围内,诸如6.7nm或6.8nm。

虽然在本文中可以详细参考在ic的制造中应用光刻设备,但应懂得,本文所述的光刻设备可以具有其他应用。能够的其他应用包含集成光学体系的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁优等。

本创造的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实施。本创造的实施例还可以被实施为存储在机械可读介质上的指令,该指令可以被一个或更多个处理器读取和履行。机械可读介质可以包含用于以机械(例如,计算装配)可读的情势存储或传输信息的任何机构。例如,机械可读介质可以包含只读存储器(rom);随机存取存储器(ram);磁盘存储介质;光学存储介质;闪存装配;电、光、声或其他情势的传播旌旗灯号(例如,载波、红外旌旗灯号、数字旌旗灯号等)等。另外,固件、软件、例行法式榜样、指令在本文中可被描述为履行某些举措。然则,应当懂得,如许的描述仅仅是为了便利,并且如许的举措实际上是由履行固件、软件、例行法式榜样、指令等的计算装配、处理器、控制器或其他装配惹起的。

固然下面曾经描述了本创造的特定实施例,然则应当懂得,本创造可以不合于所描述的方法实际。以上描述旨在解释而非限制。是以,关于本范畴技巧人员清楚的是,在不离开下面陈述的权力请求的范围的情况下,可以对所描述的本创造停止修改。

再多懂得一些
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