X射线产生装配的制造办法

文档序号:19689529发布日期:2020-01-14 19:00
X射线产生装配的制造办法

本创造的一方面触及x射线产生装配。



背景技巧:

专利文献1中记录有工业用x射线产生装配。该装配设置在底座上,包含具有圆筒外形的管体的x射线管。在管体的外部设置有发射电子的阴极、作为引出电极的栅极、和吸引电子的阳极。阳极具有电子碰撞而产生x射线的靶功能。另外,在该装配中,包含升压电路和控制器的高压电源部设置在底座上。并且,控制器由具有cpu(centralprocessingunit,中心处理器)和存储器等的微型计算机构成。x射线管和升压电路接收模制成形处理而由模制材料覆盖。

现有技巧文献

专利文献

专利文献1:日本专利第5780644号公报



技巧完成要素:

创造所要处理的课题

在上述装配中,控制器仅收纳在外壳内。是以,在使控制器在高压电位上任务的情况下,装配内的放电涉及到控制器的影响异常大年夜。特别是,停止应用构成控制器的微型计算机等的数字旌旗灯号来停止的信息处理的信息处理器件是以在高压电位下任务为条件而设计的,是以,有能够难以经受在电位差较大年夜的高压电位上的放电而遭到致命的伤害。是以,难以在高压电位长停止稳定的控制。

本创造的一个方面的目标在于供给可以或许在高压电位长停止稳定的控制的x射线产生装配。

用于处理课题的技巧筹划

本创造的一个方面的x射线产生装配包含:x射线管,其具有产生电子束的电子枪和因电子束的入射而产生x射线的靶;电源部,其具有将来自外部的导入电压升压来产生高压电压的升压部,和用绝缘材料密封升压部的绝缘块;和用于停止关于产生x射线的控制的控制部,控制部包含第一信息处理器件,该第一信息处理器件在基于高压电压的高压电位上,应用数字旌旗灯号来停止控制的至少一部分,第一信息处理器件在绝缘块中被绝缘材料密封。

该x射线产生装配包含x射线管、电源部和控制部。电源部具有将来自外部的导入电压升压来产生高压电压的升压部。升压部在绝缘块中被绝缘材料密封。用于停止关于产生x射线的控制的控制部具有第一信息处理器件,该第一信息处理器件在基于高压电压的高压电位上,应用数字旌旗灯号来停止关于产生x射线的控制的至少一部分。并且,第一信息处理器件在绝缘块中被绝缘材料密封。因此,即使在高压电位上,也能够或许停止应用第一信息处理器件的稳定的控制。

在本创造的一个方面的x射线产生装配中,电源部还具有设备为覆盖第一信息处理器件的至少一部分并在绝缘块中被绝缘材料密封的导电性部件,在导电性部件也能够施加基于高压电压的电压。该情况下,第一信息处理器件的四周的电场稳定,可以或许使第一信息处理器件稳定地任务。

在本创造的一个方面的x射线产生装配中,第一信息处理器件也能够在高压电位长停止电子枪的控制。该情况下,可以或许稳定地控制来自电子枪的电子束的产生、发射。

在本创造的一个方面的x射线产生装配中,控制部还具有在基于比高压电压低的高压电压的高压电位长停止控制的第二信息处理器件,第二信息处理器件也能够设备在绝缘块的外部。该情况下,可以或许应用设备于绝缘块的外部的第二信息处理器件稳定地停止控制。

创造后果

根据本创造的一个方面,可以或许供给在高压电位上也能够或许稳定地停止控制的x射线产生装配。

附图解释

图1是表示实施方法的x射线产生装配的纵剖面图。

图2是表示实施方法的x射线管的纵剖面图。

图3是表示图1示出的电源部的图。

图4是图3示出的外部基板的功能框图。

详细实施方法

以下,参照附图对本创造的一个方面的实施方法停止详细的解释。别的,在各图中,有对雷同或相当的要素彼此标注同一附图标记并省略反复的解释的情况。

图1是表示实施方法的x射线产生装配的纵剖面图。图2是表示实施方法的x射线管的纵剖面图。如图1、2所示,x射线产生装配100例如是用于不雅察被检体的外部构造的x射线非破坏检查的微核心x射线源。x射线产生装配100包含x射线管1、壳体c和电源部80。

x射线管1是将经过过程来自电子枪110的电子束b对靶t入射而产生并透射该靶t本身的x射线x从x射线射出窗30射出的透射型的x射线管。x射线管1是包含具有真空的外部空间r的真空壳体10的、无需改换组件等的真空密封型的x射线管。

真空壳体10呈大年夜致圆柱状的外形。真空壳体10包含:由金属材料(例如不锈钢)构成的头部4;和由绝缘性材料(例如玻璃)构成的绝缘阀2。在头部4固定有x射线射出窗30。在绝缘阀2固定有电子枪110。绝缘阀2具有沿x射线管1的管轴延长的圆筒状的外形,在与x射线射出窗30相对的端部侧具有底部2a。在底部2a,以贯穿底部2a的状况保持有供电等所应用的芯柱脚s,芯柱脚s在外部空间r的规定地位保持电子枪110。

电子枪110包含:由经过过程通电而发热的灯丝构成的加热器111;由加热器111加热而成为电子发射源的阴极(电子发射部)112;控制从阴极112发射的电子的量的第一栅极电极(电子量控制电极)113;和圆筒状的第二栅极电极114,其将经过过程第一栅极电极113的电子向靶t集合。第二栅极电极114也用作构成用于引出构成电子束b的电子的电场的引出电极。第一栅极电极113设备于阴极112和第二栅极电极114之间。x射线管1固定于后文所述的筒部件70的一端侧。别的,在x射线管1附设有未图示的排气管,外部经过该排气管被抽真空而真空密封。

x射线产生装配100的壳体c包含:筒部件70和其作为电源部80的一部分而收纳后文所述的绝缘块81的电源部壳84。筒部件70由金属构成。筒部件70呈在其两端具有开口的圆筒状。筒部件70在其一端侧的开口70a中拔出有x射线管1的绝缘阀2。由此,筒部件70收纳x射线管1的至少一部分。

x射线管1的装置凸缘3抵接于筒部件70的一个端面并经过过程螺栓等固定。由此,x射线管1被固定于筒部件70的开口70a处,并密封开口70a。在筒部件70的外部封入有作为液体状的电绝缘物质的绝缘油71。

电源部80具有向x射线管1供电的功能。电源部80具有:由模制成形的固态的绝缘材料、例如作为绝缘树脂的环氧树脂构成的绝缘块81;在绝缘块81中模制的升压电路(升压部)82;用于停止关于x射线x的产生的控制的控制基板(控制部)83;和收纳它们的矩形箱状的电源部壳84。升压电路82产生高压电压v。绝缘块81应用绝缘材料(环氧树脂)密封升压电路82。别的,绝缘块81不限于由单一的绝缘材料构成的情况,也能够根据所需的绝缘特点、弹性特点,将多种绝缘材料(绝缘树脂)组合而构成,还可以由多个模制成形体构成。

控制基板83停止关于x射线x的产生的控制,例如经过过程控制供给至x射线管1的电压和/或电流、控制升压电路82的驱动,来控制x射线产生装配100的任务。控制基板83具有:在绝缘块81中模制的外部基板83i和设备于绝缘块81的外部的外部基板83e。在电源部80固定有筒部件70的另外一端侧(与作为x射线管1侧的一端侧相反的一侧)。由此,筒部件70的另外一端侧的开口70b被密封,绝缘油71被气密地封入筒部件70的外部。

在绝缘块81上设备有包含与升压电路82和控制基板83电连接的圆筒状的插口的高压供电部90。电源部80经过高压供电部90与x射线管1电连接。更详细而言,高压供电部90的x射线管1侧的一端侧与从x射线管1的绝缘阀2的底部2a凹陷的芯柱脚s电连接。与此同时,高压供电部90的电源部80侧的另外一端侧在与升压电路82和控制基板83电连接的状况下固定于绝缘块81。

别的,在本实施方法中,将靶t(阳极)设为接地电位,负的高电压(例如-10kv~-500kv)从电源部80经过高压供电部90供给至x射线管1(电子枪110)。

x射线管1包含真空壳体10和靶部20。别的,在本实施方法的解释中,将x射线管1射出x射线x的偏向侧仅称为“x射线射出侧”或“上侧”。在真空壳体10的x射线射出侧,作为划出外部空间r的壁部,具有头部4。头部4由金属材料(例如不锈钢)构成,就电位而言相当于x射线管1的阳极。头部4在两端具有开口,呈与x射线x的射出偏向轴同轴的大年夜致圆筒状。头部4在电子枪110侧的另外一端侧的开口,与和射出偏向轴同轴的绝缘阀2连通(参照图2)。

靶部20固定于头部4上。靶部20具有:设置为密封真空壳体10(头部4)的开口部14的x射线射出窗30;和设置于x射线射出窗30的外部空间r正面的靶t。靶t经过过程电子束b的入射而产生x射线x。作为靶t,例如应用钨。x射线射出窗30呈圆板状。x射线射出窗30例如由铍或金刚石等x射线透射性高的材料构成。

接上去,进一步参照图3、4对电源部80停止详细的解释。图3是表示图1示出的电源部的图。图4是图3中示出的外部基板的功能框图。电源部80包含升压电路82,升压电路82包含变压器82t和高压电压产生电路82c。高压电压产生电路82c例如包含多级科克罗夫特电路(cockcroftcircuit)。升压电路82将从与x射线产生装配100连接的外部电源(未图示)经过外部基板83e供给的来自外部的导入电压vo升压从而产生高压电压v。导入电压vo的相对值为100v以下,在本实施方法中,例如为-20v阁下。

另外,电源部80作为用于停止关于x射线x的产生的控制的控制基板83,具有在绝缘块81中模制的外部基板83i和设备于绝缘块81的外部的外部基板83e。并且,外部基板83i包含设备为彼此大年夜致平行的第一外部基板83p和第二外部基板83q。第一外部基板83p和第二外部基板83q设备于由导电材料构成的基板底座89的两侧,均固定于基板底座89,并且经过基板底座89彼此电连接。此处,第一外部基板83p设备于比第二外部基板83q接近绝缘块81的中间侧的地位。另外,外部基板83e在绝缘块81的外部,设备于夹在绝缘块81和电源部壳84之间的空间内。

控制基板83包含停止关于x射线x的产生的控制的控制部95。控制部95至少包含第一信息处理器件95a和第一信息处理器件95a以外的第二信息处理器件95b。第一信息处理器件95a和第二信息处理器件95b例如并不是是晶体管和/或电阻等那样的包袱构成电路时的一部分的处理过程的电子元件单体,而是具有搭载了各类电子元件并电路化的基板的、可以或许停止处理基于外部输入信息的旌旗灯号,转化为显示所需的信息的旌旗灯号并输入这一系列的信息处理过程的集成电路元件。详细而言,第一信息处理器件95a和第二信息处理器件95b例如可罗列具有cpu(centralprocessingunit,中心处理器)和存储器等的微型计算机(微机)或pld(programmablelogicdevice,可编程逻辑器件)等。并且,第一信息处理器件95a和第二信息处理器件95b构成为可以或许接收发送数字旌旗灯号,并且可以或许应用数字旌旗灯号停止关于x射线x的产生的控制的至少一部分。另外,在控制基板83设置有基于由第一信息处理器件95a和第二信息处理器件95b停止的控制而驱动的控制电路,作为来自该控制电路的输入,例如对x射线管1供给所需的电压、电流。

第一信息处理器件95a搭载在第一外部基板83p的与基板底座89为相反侧的主面83s上。因此,第一信息处理器件95a与升压电路82一路由绝缘材料(绝缘树脂)密封。另外一方面,第二信息处理器件95b搭载在外部基板83e上。因此,第二信息处理器件95b设备于绝缘块81的外部(从绝缘材料(绝缘树脂)显现)。

外部基板83e是在将基于比高压电压v低的高压电压v的高压电位作为基准电位的高压基准电位vp上任务的高压任务基板。换言之,由于就电位而言是在异常稳定的情况下任务,所以用于关于x射线产生装配100全体的综合性控制。别的,高压电压v的相对值也可认为10kv以下。更详细而言,其相对值为1kv以下。别的,在本实施方法中,高压电压v为0v(接地电位)。并且,外部基板83e经过变压器82t向高压电压产生电路82c供给来自外部的导入电压vo。

更详细而言,外部基板83e与未图示的外部电源连接,从该外部电源供给至外部基板83e的导入电压vo在由将外部基板83e和高压电压产生电路82c电连接的变压器82t第一次升压数kv阁下后,被供给至高压电压产生电路82c。然后,经过过程在高压电压产生电路82c处停止第二次升压而产生高压电压v。另外,第二信息处理器件95b停止外部基板83e的控制,并且停止升压电路82的控制。即,第二信息处理器件95b在基于高压电压v的高压电位即高压基准电位vp上,作为关于x射线x的产生的控制,停止外部基板83e的控制、关于对升压电路82的导入电压vo的供给的控制和升压电路82的控制。

换句话说,将基于升压电路82(高压电压产生电路82c)产生的高压电压v的高压电位作为基准电位的高压基准电位vp由第二信息处理器件95b控制。更详细而言,在从升压电路82等取得关于产生的高压电压v的实际的值的信息的基本上,基于该信息对高压电压v(高压基准电位vp)停止反应控制。别的,从外部电源也供给有电流,由第二信息处理器件95b停止与电压异样的控制。换言之,第二信息处理器件95b停止关于从外部电源向升压电路82供给的电力的控制。

另外,外部基板83i经过电流限制电阻85与升压电路82(高压电压产生电路82c)电连接。更详细而言,外部基板83i经过电流限制电阻85、后文所述的覆盖电极88、和基板底座89而与升压电路82(高压电压产生电路82c)电连接。由此,对外部基板83i(第一外部基板83p和第二外部基板83q)施加有来自升压电路82(高压电压产生电路82c)的高压电压v。也就是说,外部基板83i(第一外部基板83p和第二外部基板83q)是在将基于高压电压v的高压电位作为基准电位的高压基准电位vp上任务的高压任务基板。

因此,第一信息处理器件95a也在将基于高压电压v的高压电位作为基准电位的高压基准电位vp上任务。高压电压v(高压基准电位vp)例如为-100kv。并且,在将高压电压v绝缘的状况下,从外部基板83e经过在绝缘块81中模制的变压器86对外部基板83i供给用于驱动构成外部基板83i的第一外部基板83p、第二外部基板83q、和第一信息处理器件95a的驱动电力e。换句话说,构成外部基板83i的第一外部基板83p、第二外部基板83q、和第一信息处理器件95a在将高压基准电位vp作为虚拟的接地电位的状况下,由驱动电力e驱动。

另外,第一信息处理器件95a经过高压供电部90和芯柱脚s,与构成电子枪110的加热器111、阴极112、第一栅极电极113、和第二栅极电极114电连接。由此,第一信息处理器件95a关于加热器111、阴极112、第一栅极电极113、和第二栅极电极114如许关于x射线管1产生x射线x的构成(电子枪110)的驱动,停止至少一部分的控制。

详细而言,是对前述各构成供电的控制。此处,记录关于各构成的施加电压的控制的例子。第一信息处理器件95a在基于-100kv的高压电压v的高压基准电位vp上,对第一栅极电极113控制处于-1500v阁下的范围的电压值,对阴极112控制为处于-1000v阁下的范围的电压值,对加热器111控制为处于与阴极112的电位相差-5v阁下的范围的电压值,对第二栅极电极114控制为成为0v(换言之为虚拟的接地电位)。也就是说,第一信息处理器件95a作为实际的施加电压,例如,对第一栅极电极113控制为-100kv+(-1500v),对阴极112控制为-100kv+(-1000v),对加热器111控制为-100kv+(-1000v)+(-5v),对第二栅极电极114控制为-100kv。

别的,在如该情况下的第二栅极电极114那样,供授予作为高压基准电位vp的高压电压v相等的电压值的情况下,也能够不经外部基板83i(第一信息处理器件95a)而直接与升压电路82(高压电压产生电路82c)电连接。该情况下,第二栅极电极114与升压电路82相等,由外部基板83e的第二信息处理器件95b控制。进一步,第一信息处理器件95a经过过程加热器111、阴极112和第一栅极电极113的控制来停止关于管电流的反应控制,经过过程阴极112和第二栅极电极114的控制来停止关于聚焦(电子束b的集合)的反应控制。

别的,在上述例子中,对加热器111、阴极112、第一栅极电极113、和第二栅极电极114适本地施加对高压基准电位vp即高压电压v(-100kv)加上-1500v至0v的规定范围的电压vr的量的电压,但高压电压v的量源于来自升压电路82的供给电压,规定范围的电压vr的量源自设置于外部基板83i的由驱动电力w驱动的未图示的驱动电源。别的,在规定范围的电压vr的量为0v的情况(换言之与高压电压v相等的情况)下,也能够不应用驱动电源而仅从升压电路82供给。换言之,第一信息处理器件95a在将高压基准电位vp作为虚拟的接地电位的状况下,经过过程规定范围的电压vr来控制电子枪110。

然则,以上的电压值不过是一例,对电子枪110的各构成(加热器111、阴极112、第一栅极电极113、和第二栅极电极114)施加的各电压值也能够恰当变革。另外,高压电压v和规定范围的电压vr可以或许以以下方法规定。即,由第一信息处理器件95a控制的高压电压v(高压基准电位vp)的相对值也可认为10kv以上500kv以下。该情况下,可所以施加于由第一信息处理器件95a控制的x射线管1的电子枪110的各构成(加热器111、阴极112、第一栅极电极113、和第二栅极电极114)的电压中的、除去了高压电压v的量(换言之,相当于相关于高压基准电位vp的电位差)的规定范围的电压vr为高压电压v的4%以下的范围,且规定范围的电压vr的相对值的最大年夜值为25v以上20kv以下。更详细而言,高压电压v(高压基准电位vp)的相对值为10kv以上300kv以下,规定范围的电压vr为高压电压v的2%以下,且规定范围的电压vr的相对值的最大年夜值为50v以上6kv以下。别的,规定范围的电压vr也包含是高压电压v的0%的情况,是以,也包含施加于由第一信息处理器件95a控制的x射线管1的电子枪110的各构成(加热器111、阴极112、第一栅极电极113和第二栅极电极114)的电压与由升压电路82(高压电压产生电路82c)产生的高压电压v相等的情况。

如上所述,在x射线产生装配100中,电子枪110包含:由经过过程通电而发热的灯丝构成的加热器111;作为由加热器111加热的电子发射部的阴极112;作为构成用于从阴极112引出构成电子束b的电子的电场的引出电极的第二栅极电极114;和设备于阴极112和第二栅极电极114之间的、控制从阴极112引出的电子的量的第一栅极电极113。并且,第一信息处理器件95a关于加热器111、阴极112、第一栅极电极113、和第二栅极电极114如许的、关于x射线管1产生x射线x的构成(电子枪110),在高压基准电位vp上的规定范围的电压vr下停止用于驱动至少一部分的构成的施加电压的控制。

罗列控制的具编制。第一信息处理器件95a如上所述停止关于x射线管1的管电流的控制和关于聚焦的控制。为此,如图4所示,在外部基板83i中包含第一信息处理器件95a(微机或pld等)、经过过程第一信息处理器件95a的控制而驱动的管电流控制电路95d、和聚焦控制电路95e。别的,供给规定范围的电压vr的驱动电源的至少一部分包含在管电流控制电路95d和/或聚焦控制电路95e中。第一信息处理器件95a例如可以或许经过光纤87如许的通信部与第二信息处理器件95b(微机或pld等)之间停止表示控制信息的数字旌旗灯号的接收发送,个中第二信息处理器件95b中存储有基于x射线管1中的规定的驱动条件的各类供给电极的数据。

别的,数字旌旗灯号的接收发送所应用的通信部也能够应用无线等。数字旌旗灯号关于渺小的旌旗灯号的处理才能和抗噪性优良,是以,可以或许停止高精度的旌旗灯号的接收发送。是以,在电位大年夜不雷同的高压基准电位vp的外部基板83i和高压基准电位vp的外部基板83e之间,管电流控制电路95d和聚焦控制电路95e的输入控制也能够或许完成误差范围为0.1%以下的精度。别的,第一信息处理器件95a和第二信息处理器件95b之间的旌旗灯号的接收发送不限于应用数字旌旗灯号,也能够应用fm通信等。

并且,例如在从由外部对x射线产生装配100连接的电脑等的外部输入部(未图示)向第二信息处理器件95b输入表示控制信息的旌旗灯号时,与该输入旌旗灯号照应地从第二信息处理器件95b向第一信息处理器件95a输入表示控制信息的数字旌旗灯号,第一信息处理器件95a基于该数字旌旗灯号停止应用了数字旌旗灯号的信息处理。并且,在控制管电流的情况下,第一信息处理器件95a向管电流控制电路95d输入旌旗灯号。管电流控制电路95d根据输入的旌旗灯号,应用高压电压v和规定范围的电压vr,对加热器111、阴极112、和第一栅极电极113供给驱动电压。由此,第一信息处理器件95a控制x射线管1中的管电流。另外,可以或许经过过程将来自未图示的管电流取得单位的管电流信息输入到第一信息处理器件95a,来停止管电流的反应控制。

另外一方面,在控制聚焦的情况下,第一信息处理器件95a向聚焦控制电路95e输入旌旗灯号。聚焦控制电路95e根据输入的旌旗灯号,应用高压电压v和规定范围的电压vr,对阴极112和第二栅极电极114供给驱动电压。由此,第一信息处理器件95a控制x射线管1的聚焦。另外,可以或许经过过程将来自未图示的聚焦信息取得单位的聚焦信息输入到第一信息处理器件95a,来停止聚焦的反应控制。

此处,电源部80还包含覆盖电极(导电性部件)88。覆盖电极88例如由不锈钢、铝等金属材料构成。覆盖电极88在绝缘块81由绝缘材料(绝缘树脂)密封。覆盖电极88在此处由第一部分88a和第二部分88b构成为l字板状,个中,第一部分88a是沿x射线产生装配100的中间轴延长的平板状的部分,第二部分88b是在沿x射线产生装配100的中间轴的偏向的第一部分88a的上端(x射线管1侧的端部),在与第一部分88a的延长偏向订交的偏向上立设的平板状的部分。并且,覆盖电极88设备为第一部分88a与第一外部基板83p的主面83s相对。由此,从与主面83s交差的偏向不雅察,主面83s的大年夜部分和主面83s上的第一信息处理器件95a的全体由覆盖电极88(第一部分88a)覆盖。换句话说,覆盖电极88(第一部分88a)设备为掩蔽升压电路82(高压电压产生电路82c)和第一信息处理器件95a(第一外部基板83p的主面83s)之间。

此处,从沿主面83s的偏向不雅察,至少第一信息处理器件95a的上端侧(x射线管1侧)被覆盖电极88(第二部分88b)覆盖。即,电源部80具有设备为覆盖第一信息处理器件95a的至少一部分,在绝缘块81由绝缘材料(绝缘树脂)密封的覆盖电极88。并且,对覆盖电极88施加基于高压电压v的电压vc。电压vc是例如对高压电压v加上规定范围的电压vr的电压,在本实施方法中,从升压电路82(高压电压产生电路82c)经过电流限制电阻85供给,是以与高压电压v相等。

另外一方面,如上文所述,基板底座89、第一外部基板83p、和第二外部基板83q也异样,被施加高压电压v。换句话说,此处,固定第一外部基板83p和第二外部基板83q并与它们相互电连接的基板底座89与覆盖电极88电连接。换言之,在高压基准电位vp上任务的第一信息处理器件95a设备为由异样为高压基准电位vp(高压电压v)的覆盖电极88和基板底座89包抄的状况,是以,第一信息处理器件95a的四周的电场稳定,可以或许使第一信息处理器件95a稳定地任务。

如以上解释那样,x射线产生装配100具有x射线管1和电源部80。电源部80向x射线管1供给高压电压v。是以,电源部80具有将来自外部的导入电压vo升压而产生高压电压v的升压电路82。升压电路82成为高电压部分,是以,在绝缘块81由绝缘材料(绝缘树脂)密封。

另外一方面,电源部80具有效于停止关于x射线x的产生的控制的控制部95。控制部95包含应用数字旌旗灯号停止关于x射线x的产生的控制的至少一部分的第一信息处理器件95a。并且,第一信息处理器件95a与升压电路82一路在绝缘块81由绝缘材料(绝缘树脂)密封。因此,在基于高压电压v的高压基准电位vp上,也能够或许完成由第一信息处理器件95a停止的稳定的控制。

另外,在x射线产生装配100中,电源部80还具有设备为覆盖第一信息处理器件95a的至少一部分、并在绝缘块81由绝缘材料(绝缘树脂)密封的覆盖电极88。并且,对覆盖电极88施加基于高压电压v的电压vc。是以,第一信息处理器件95a的四周的电场稳定,可以或许使第一信息处理器件95a稳定地任务。

另外,例如在x射线管1产生放电的情况下,x射线管1和外部基板83i(第一外部基板83p、第二外部基板83q、和第一信息处理器件95a)的电位经过过程在x射线管1内产生的放电途径而敏捷降低至接地电位。与此相对,升压电路82(高压电压产生电路82c)的电位在经过过程电流限制电阻85后在上述放电途径降低至接地电位,或许经过多级科克罗夫特电路降低至接地电位,是以,固然是极渺小的时间差,但外部基板83i(第一外部基板83p、第二外部基板83q、和第一信息处理器件95a)起首成为接地电位,接着升压电路82(高压电压产生电路82c)成为接地电位。是以,就短时间来看,在第一信息处理器件95a与升压电路82(高压电压产生电路82c)之间,最大年夜产生相当于高压电压v(高压基准电位vp)的电位差,其成果是,有能够构成异常强的电场。是以,假设在该电场波落第一信息处理器件95a的情况下,有在第一信息处理器件95a产生毛病的风险。

与此相对,此处,覆盖电极88(第一部分88a)设备为掩蔽升压电路82(高压电压产生电路82c)与第一信息处理器件95a之间。因此,即使在上述那样的例如在x射线管1产生放电的情况下,覆盖电极88克制因放电而产生的电场的影响,是以,可以或许克制第一信息处理器件95a的毛病。另外,经过过程具有将第一信息处理器件95a从x射线管1掩蔽如许的第二部分88b,可以或许克制因x射线管1产生放电而招致的直接的影响涉及到第一信息处理器件95a。

另外,在x射线产生装配100中,第一信息处理器件95a在高压基准电位vp长停止电子枪110的控制。如上所述,此处,第一信息处理器件95a在绝缘块81由绝缘材料(绝缘树脂)密封。是以,可以或许稳定地控制来自电子枪110的电子束的产生、射出。

进一步,在x射线产生装配100中,控制部95还包含在基于比高压电压v低的高压电压v的高压基准电位vp长停止关于x射线x的产生的控制的(其他的)第二信息处理器件95b。并且,该第二信息处理器件95b设备于绝缘块81的外部。是以,可以或许应用设备于绝缘块81的外部的第二信息处理器件95b,就x射线x的产生停止稳定地控制。

以上实施方法说清楚明了本创造的一个方面的x射线产生装配的一个实施方法。因此,本创造的一个方面的x射线产生装配不限于上述x射线产生装配100。本创造的一个方面的x射线产生装配可以或许在不改变各权力请求的主旨的范围内将上述x射线产生装配100停止随便任性地变形。例如,构成绝缘块81的绝缘材料不限于绝缘树脂,也能够应用陶瓷等树脂以外的绝缘材料。另外,供给高压电压v的对象不限于电子枪110,也能够向靶t供给,不限于透射型的x射线管,也能够应用应用了反射型靶的反射型x射线管。另外,电子枪110也能够进一步具有栅极电极,还可以应用冷阴极。

工业上的可应用性

可以或许供给可以或许在高压电位长停止稳定的控制的x射线产生装配。

附图标记解释

1…x射线管、80…电源部、81…绝缘块、82…升压电路(升压部)、88…覆盖电极(导电性部件)、95…控制部、95a…第一信息处理器件、95b…第二信息处理器件、110…电子枪、112…阴极、113…第一栅极电极、114…第二栅极电极、b…电子束、t…靶、x…x射线。

再多懂得一些
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